News Release 

3300V級シリコンIGBTで5Vゲート駆動のスイッチングに世界で初めて成功

Institute of Industrial Science, The University of Tokyo

シリコンIGBTはパワートランジスタの一種で、家電製品や自動車、鉄道、産業機器等に広く用いられています。電力変換効率をより向上させるため、電流密度が大きく損失の小さなパワートランジスタが強く要求されています。

東京大学 生産技術研究所の更屋 拓哉 助手および平本 俊郎 教授を中心とする研究グループは、MOSトランジスタ部の寸法を縮小(スケーリング)した3300V級のシリコンIGBTを大学のクリーンルームで試作し、通常15Vのゲート駆動電圧を5Vに低減してIGBTをスイッチングすることに世界で初めて成功しました。また、電流密度向上(オン損失の低減)を達成し、スイッチング損失も低減できることを実証しました。

この成果は、シリコンIGBTの更なる進化が可能であることを示すとともに、パワーエレクトロニクスの効率改善、ひいては増大を続ける電力需要の抑制に貢献することが期待できます。さらに、ゲート制御電圧が5Vまで低減できることから、シリコンCMOSディジタル技術をゲート制御回路に用いることが可能となり、人工知能(AI)などを利用したインテリジェントな新しいパワーエレクトロニクスに発展することが期待されます。

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