SFG過程の巨大な電気的変調 (IMAGE)
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a. SFG過程のエネルギーダイアグラム。中赤外光(ω1)と近赤外光(ω2)を物質に照射することで、それらの和の周波数(ωSFG = ω1 + ω2)を持つSFG光が発生する。b. 中赤外光と近赤外光のフェムト秒パルスレーザーをSTMのナノギャップに同時に照射し、それらの光を近接場として局在・増強させることで、ギャップ中に存在する分子からのSFG光を検出する。c. 探針-基板間距離を約30ナノメートル離した場合（黒）と、数オングストロームの距離まで近接させた場合（3本の青いスペクトル）に観測されたSFG信号の比較。探針と基板の距離が遠い状態では信号はほとんど観測されなかったが、両者を1ナノメートル以下に近づけることで強い近接場増強が起こり、SFG信号が観測されるようになった。1033 nmの近赤外光と3280 nmの中赤外光を励起光として用いたため、それらの和の周波数を持つ波長785 nmのSFG光が観測されている。さらに、探針と基板の間に印加する電圧を0.25 V（水色）から0.75 V（青）に上げていくと、SFG信号の強度が増大する振る舞いが見られた。d. 図 3と同様に、印加電圧を変えた場合に、SFG強度がどの程度変化するかという変調度をプロットしたグラフ。
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Adapted from Takahashi et al. (2026), Nature Communications
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