ゲートオールアラウンド型 ナノシート酸化物半導体トランジスタを開発――半導体の高集積化・高機能化へ期待――

東京大学 生産技術研究所 小林 正治 准教授と、奈良先端科学技術大学院大学　先端科学技術研究科 物質創成科学領域 浦岡 行治 教授、髙橋 崇典 助教らによる共同研究グループは、原子層堆積法を用いて結晶化した酸化物半導体を形成する技術を開発し、トランジスタの高性能化と高信頼性化を実現しました。さらに同技術を用いてゲートオールアラウンド型酸化物半導体トランジスタの開発に成功しました。

酸化物半導体のトランジスタはこれまでフラットパネルディスプレイに用いられてきました。酸化物半導体は、低温で形成可能で、高性能であることから、現在、半導体の集積回路への応用の期待が高まっています。酸化物半導体を集積回路のトランジスタとして用いるには、トランジスタの微細化が可能であることが必須ですが、従来のアモルファス酸化物半導体では微細化に必要なゲートオールアラウンド構造の実現が困難でした。本研究では、原子層堆積法により結晶化酸化物半導体を形成する技術を開発し、ゲートオールアラウンド構造の酸化物半導体トランジスタのプロセス技術を開発、高性能で高信頼性なデバイス特性を実現しました。

本技術により、半導体のさらなる高集積化とそれによる高機能化が可能になり、ビッグデータを利活用する社会サービスの展開が期待されます。

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