image: Transmission functions of an evanescent state across the tunnel barrier as a function of spin and the overall calculated TMR ratio for five layers of h-BN across the bandgap. view more
Credit: Tohoku University
情報機器でのエネルギー消費増大問題を解決するために、計算機用の高性能な不揮発性メモリの開発が求められています。東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センターはケンブリッジ大学との共同研究により、二次元物質(h-BN)と強磁性金属(Co,Fe)の界面の混成軌道による界面垂直磁気異方性がCoとNの原子の相対位置関係によって強化されることを発見し、不整合性の高い原子配置関係のときに1,000%のTMR比が現れることを明らかにしました。二次元物質であるh-BNは将来のMTJの障壁材料の1つの選択肢として有望であり、二次元物質の高い面内移動度と組み合わせた面内/面直伝導を二次元物質が担うハイブリッド型集積回路が期待されます。
本研究成果は、米国物理学会発行の科学誌 Applied Physics Reviewのeditor's choiceとなり2021 年 8月 5 日にOnline掲載されました。
Journal
Applied Physics Reviews