簡略化されたプロジェクターの設計図 (IMAGE)
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図は、新竹教授が提案する高開口数（NA） EUVリソグラフィーを示している。照明システム内の集光ミラーは、EUV光源からの短波長光をフォトマスクに導くために、よりシンプルな設計となっている。プロジェクター内の2組のミラーにより、開口数が向上している。フォトマスク上の回路パターンがウェハーに投影され、その後、化学エッチングが行われることで、シリコン表面に高密度なナノメートル級の線状パターンが形成される。このプロセスを２０回以上繰り返して、最終的に20層以上パターンが積層され、回路として機能するチップが製造される。
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新竹積（OIST）
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